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NXP - BLF278 - 功率MOSFET N沟道 500W VHF 双管推挽式

NXP - BLF278 - 功率MOSFET N沟道 500W VHF 双管推挽式
制造商:NXP
库存编号:
制造商编号:BLF278
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国95
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 1,234.55
价格:
数量 单位价格(不含税)
1+  CNY 1,234.55

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描述信息:
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:125V
  • 电流, Id 连续:18A
  • 功耗:500W
  • 封装类型:SOT-262A1
  • 晶体管??性:N
  • 电压, Vds:125V
  • 结温, Tj 最高:200°C
  • 功率, Pd:500W
  • 存储温度, 最低:-65°C
  • 存储温度, 最高:150°C
  • 封装类型:SOT-262A1
  • 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
  • 漏极电流, Id 最大值:18A
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性:

重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:125V
  • 电流, Id 连续:18A
  • 功耗:500W
  • 封装类型:SOT-262A1
  • 晶体管??性:N
  • 电压, Vds:125V
  • 结温, Tj 最高:200°C
  • 功率, Pd:500W
  • 存储温度, 最低:-65°C
  • 存储温度, 最高:150°C
  • 封装类型:SOT-262A1
  • 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
  • 漏极电流, Id 最大值:18A
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V