OSRAM SYLVANIA - BPW34S - 光电二极管
制造商：OSRAM SYLVANIA
库存编号：
制造商编号：BPW34S
库存状态：上海50, 新加坡 0 , 英国10481
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 8.88
价格：
库存编号：
制造商编号：BPW34S
库存状态：上海50, 新加坡 0 , 英国10481
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 8.88
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 49 | CNY 8.88 |
| 50 - 124 | CNY 8.58 |
| 125 - 249 | CNY 8.10 |
| 250 - 499 | CNY 7.91 |
| 500+ | CNY 7.70 |
描述信息：
- 波长, 典型值:850nm
- 灵敏度:0.62A/W
- 半角:60°
- 暗电流:2nA
- 针脚数:2
- 工作温度范围:-40°C to +100°C
- 上升时间:0.001μs
- 外宽:4.4mm
- 外部深度:6.45mm
- 外部长度/高度:1.15mm
- 波长峰值:850nm
- 电压, Vr 最高:32V
- 下降时间:0.001μs
- 二极管类型:Photodiode
- 封装类型:平顶
- 波长, 频谱响应峰值:850nm
- 活性区面积:7mm2
- 灵敏度阈值, 最大:0.62A/W @ 850nm
产品属性：
重量（公斤）：0.00002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 波长, 典型值:850nm
- 灵敏度:0.62A/W
- 半角:60°
- 暗电流:2nA
- 针脚数:2
- 工作温度范围:-40°C to +100°C
- 上升时间:0.001μs
- 外宽:4.4mm
- 外部深度:6.45mm
- 外部长度/高度:1.15mm
- 波长峰值:850nm
- 电压, Vr 最高:32V
- 下降时间:0.001μs
- 二极管类型:Photodiode
- 封装类型:平顶
- 波长, 频谱响应峰值:850nm
- 活性区面积:7mm2
- 灵敏度阈值, 最大:0.62A/W @ 850nm
