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INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS61LV51216-10TLI - 芯片 SRAM 8MB 1MB X 8 3V 10ns

INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS61LV51216-10TLI - 芯片 SRAM 8MB 1MB X 8 3V 10ns
制造商:INTEGRATED SILICON SOLUTIONS
库存编号:
制造商编号:IS61LV51216-10TLI
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):
价格:

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描述信息:
  • 存储器容量:8Mbit
  • 存储器配置:512K x 16bit
  • 访问时间:10ns
  • 电源电压范围:3.135V to 3.63V
  • 封装类型:TSOP
  • 针脚数:44
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:TSOP
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 器件标号:61
  • 存储器容量:8Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3.3V
  • 存储器电压, Vccq:3.3V
  • 存储器类型:SRAM
  • 接口类型:Asynchronous
  • 电压, Vcc:3.3V
  • 电源电压 最大:3.63V
  • 电源电压 最小:3.135V
  • 芯片标??:61LV51216
  • 表面安装器件:表面安装
  • 逻辑功能号:51216
产品属性:

重量(公斤):0.001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 存储器容量:8Mbit
  • 存储器配置:512K x 16bit
  • 访问时间:10ns
  • 电源电压范围:3.135V to 3.63V
  • 封装类型:TSOP
  • 针脚数:44
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:TSOP
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 器件标号:61
  • 存储器容量:8Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3.3V
  • 存储器电压, Vccq:3.3V
  • 存储器类型:SRAM
  • 接口类型:Asynchronous
  • 电压, Vcc:3.3V
  • 电源电压 最大:3.63V
  • 电源电压 最小:3.135V
  • 芯片标??:61LV51216
  • 表面安装器件:表面安装
  • 逻辑功能号:51216