RENESAS - 2SJ221-E - 场效应管 MOSFET P TO-220
制造商：RENESAS
库存编号：
制造商编号：2SJ221-E
库存状态：停产
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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价格：
描述信息：
- 晶体管极性:P沟道
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.22ohm
- 功耗:75W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- 功率, Pd:75W
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-100V
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:-2V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P沟道
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.22ohm
- 功耗:75W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- 功率, Pd:75W
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-100V
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:-2V
