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SANYO - 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243

SANYO - 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243
制造商:SANYO
库存编号:
制造商编号:2SK3486-TD-E
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国558
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 7.12
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 7.12
25  - 99 CNY 6.00
100  - 249 CNY 4.89
250  - 499 CNY 4.11
500+  CNY 3.45

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):43mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:3.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-243
  • 针脚数:3
  • 封装类型:TO-243
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
产品属性:

重量(公斤):0.00006
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):43mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:3.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-243
  • 针脚数:3
  • 封装类型:TO-243
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V