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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - TEMT3700. - 光电晶体管 |
光电晶体管
NPN
0.05A
PLCC-2
70V
SMD
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美国 0
上海 0
美国15939
新加坡 0 |
1 |
1 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - TEMT1030.. - 光电晶体管 |
光电晶体管
NPN
0.05A
TO-5
70V
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无库存 |
1 |
1 |
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HONEYWELL S&C - SD5443-003 - 光电三极管TO-18 |
功耗:150mW
视角:18°
针脚数:3
上升时间:6μs
半角:18°
封装类型:TO-18
工??温度范围:-55°C to +125°C
晶体管类型:光电
标称灵敏度 @ mW/cm2:8mA@5mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:880nm
电压, Vcc:5V
电流, Ic 典型值:8mA
下降时间:6μs
引脚节距:2.54mm
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上海55
新加坡2
英国355 |
1 |
1 |
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VISHAY - TEFT4300 - 光电三极管T1 |
波长, 典型值:925nm
功耗:100mW
视角:30°
针脚数:2
上升时间:1.5μs
半角:30°
封装类型:T-1
晶体管类型:???电
标称灵敏度 @ mW/cm2:3.2mA@1mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:950nm
电压, Vcc:5V
电流, Ic 典型值:3.2mA
下降时间:1.5μs
引脚节距:2.54mm
最低灵敏度 @ mW/cm2:3.2@0.5
最高灵敏度 @ mW/cm2:0.8@0.5
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上海420
新加坡2025
英国5454 |
1 |
1 |
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VISHAY - BPV11 - 光电三极管T1.3/4 |
波长, 典型值:850nm
功耗:150mW
视角:15°
针脚数:3
上升时间:3.8μs
半角:15°
封装类型:T-1 3/4
晶体管类型:光电
标称灵敏度 @ mW/cm2:10mA@1mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:950nm
电压, Vcc:5V
电流, Ic 典型值:10mA
下降时间:3.8μs
引脚节距:2.54mm
最低灵敏度 @ mW/cm2:3.0@1
最高灵敏度 @ mW/cm2:10.0@1
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上海795
新加坡1656
英国 0 |
1 |
1 |
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VISHAY - BPW85C - 光电三极管T1 |
波长, 典型值:850nm
功耗:100mW
视角:25°
针脚数:2
上升时间:1.5μs
半角:25°
封装类型:T-1
工作温度范围:-40°C to +100°C
晶体管类型:光电
标称灵敏度 @ mW/cm2:5mA@1mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:950nm
电压, Vcc:5V
电流, Ic 典型值:5mA
下降时间:1.5μs
引脚节距:2.54mm
最低灵敏度 @ mW/cm2:3.0@1
最高灵敏度 @ mW/cm2:8.0@1
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上海5
新加坡8842
英国2489 |
1 |
1 |
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VISHAY - BPW17N - 光电三极管T3/4 |
波长, 典型值:825nm
功耗:100mW
视角:12°
针脚数:2
上升时间:3.7μs
半角:12°
外部长度/高度:2.9mm
封装类型:T-3/4
晶体管类型:光电
标称灵敏度 @ mW/cm2:1mA@1mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:950nm
电压, Vcc:5V
电流, Ic 典型值:1mA
下降时间:3.7μs
引脚节距:2.54mm
最低灵敏度 @ mW/cm2:0.5@1
最高灵敏度 @ mW/cm2:1.0@1
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上海995
新加坡2538
英国1840 |
1 |
1 |
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VISHAY - TEKT5400-ASZ - 光电三极管 I/R 侧面发光 |
上升时间:6μs
半角:37°
封装类型:??形
晶体管类型:光电
波长, 频谱响应峰值:920nm
下降时间:5μs
引脚节距:2.54mm
最低灵敏度 @ mW/cm2:2.0@1
最高灵敏度 @ mW/cm2:4.0@1
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上海394
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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VISHAY - BPW85 - 光电三极管T1 |
波长, 典型值:850nm
功耗:100mW
视角:25°
针脚数:2
上升时间:1.5μs
半角:50°
封装类型:T-1
工作温度范围:-40°C to +100°C
晶体管类型:光电
波长, 频谱响应峰值:830nm
电压, Vcc:5V
电流, Ic 典型值:50mA
下降时间:1.5μs
引脚节距:2.54mm
最低灵敏度 @ mW/cm2:1.5@1
最高灵敏度 @ mW/cm2:4.0@1
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上海140
新加坡1478
英国663 |
1 |
1 |
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VISHAY - BPV11F - 光电三极管T1.3/4 |
波长, 典型值:930nm
功耗:150mW
视角:15°
针脚数:3
上升时间:3.3μs
半角:30°
外部长度/高度:2.54mm
封装???型:T-1 3/4
晶体管类型:光电
标称灵敏度 @ mW/cm2:9mA@1mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:900nm
电压, Vcc:5V
电流, Ic 典型值:9mA
下降时间:3.3μs
引脚节距:2.54mm
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上海80
新加坡3223
英国2398 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - L14C1 - 光电三极管TO-18 |
针脚数:3
上升时间:5μs
半角:58°
封装类型:TO-18
晶体管类型:光电
波长, 频谱响应峰值:840nm
下降时间:5μs
引脚节距:2.54mm
最高灵敏度 @ mW/cm2:1.0@10
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上海50
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - QSE113 - 红外光电三极管 |
波长, 典型值:880nm
功耗:100mW
视角:25°
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:8μs
半角:25°
外宽:4.44mm
外部深度:2.54mm
外部长度/高度:5.08mm
封装类型:侧视
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-40°C to +100°C
晶体管类型:光电
波长, 频谱响应峰值:880nm
电压, Vcc:5V
电流, Ic 典型值:1.5mA
表面安装器件:径向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
下降时间:8μs
存储温度, 最低:-40°C
存储温度, 最高:100°C
引线长度:12.7mm
波长峰值:880nm
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上海 0
新加坡362
英国34319 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - L14G3 - 光电三极管TO-18 |
波长, 典型值:940nm
功耗:600mW
视角:10°
封装类型:TO-18
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:5μs
半角:15°
封装类型:TO-18
工作温度范围:-65°C to +125°C
晶体管类型:光电
标称灵敏度 @ mW/cm2:2mA@0.5mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:850nm
电压, Vcc:10V
电流, Ic 典型值:2mA
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
下降时间:5μs
引脚节距:2.54mm
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上海 0
新加坡20
英国453 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - L14G1 - 光电三极管TO-18 |
波长, 典型值:940nm
功耗:600mW
视角:10°
封装类型:TO-18
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:5μs
半角:15°
封装类型:TO-18
工作温度范围:-65°C to +125°C
晶体管类型:光电
标称灵敏度 @ mW/cm2:1mA@0.5mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:850nm
电压, Vcc:10V
电流, Ic 典型值:1mA
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
下降时间:5μs
引脚节距:2.54mm
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - L14F1 - 光电三极管 达林顿 TO-18 |
晶体管极性:NPN
封装类型:TO-18
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:75μs
半角:15°
封装类型:TO-18
工作温度范围:-65°C to +125°C
晶体管类型:光电
标称灵敏度 @ mW/cm2:3.4mA@0.2mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:850nm
电压, Vcc:5V
电流, Ic 典型值:7.5mA
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
下降时间:50μs
引脚节距:2.54mm
|
上海1
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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