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RENESAS - 2SK1317-E - 场效应管 MOSFET N TO-3P   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:2.5A 电压, Vds 最大:1500V 开态电阻, Rds(on):12ohm 电压 @ Rds测量:15V 电??, Vgs 最高:4V 功耗:100W 封装类型:TO-3P 针脚数:3 功率, Pd:100W 封装类型:TO-3P 引脚节距:5.45mm 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V 电压, Vds 典型值:1500V 电流, Id 连续:2.5A 电流, Idm 脉冲:7A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 上海10 新加坡9 英国94 1 1 删除